芯片制造 半导体工艺制程实用教程 第4版

1 (p1): 第1章 半导体工业
1 (p1-1): 一个工业的诞生
2 (p1-2): 固态时代
3 (p1-3): 集成电路
3 (p1-4): 工艺和产品趋势
4 (p1-5): 特征图形尺寸的减小
5 (p1-6): 芯片和晶圆尺寸的增大
5 (p1-7): 缺陷密度的减小
6 (p1-8): 内部连线水平的提高
6 (p1-9): SIA的发展方向
7 (p1-10): 芯片成本
7 (p1-11): 半导体工业的发展
8 (p1-12): 半导体工业的构成
9 (p1-13): 生产阶段
10 (p1-14): 开发的十年（1951～1960）
12 (p1-15): 工艺的十年（1961～1970）
13 (p1-16): 产品的十年（1971～1980）
13 (p1-17): 自动化的十年（1981～1990）
13 (p1-18): 产品的纪元（1991～2000）
14 (p1-19): 极小的纪元
15 (p1-20): 关键概念和术语
15 (p1-21): 习题
15 (p1-22): 参考文献
16 (p2): 第2章 半导体材料和工艺化学品
16 (p2-1): 原子结构
17 (p2-2): 元素周期表
19 (p2-3): 电传导
19 (p2-4): 绝缘体和电容器
20 (p2-5): 本征半导体
21 (p2-6): 掺杂半导体
21 (p2-7): 掺杂半导体的电阻率
22 (p2-8): 电子和空穴传导
23 (p2-9): 载流子迁移率
24 (p2-10): 半导体产品材料
24 (p2-11): 半导体化合物
25 (p2-12): 锗化硅
25 (p2-13): 铁电材料
25 (p2-14): 工艺化学品
26 (p2-15): 物质的状态
27 (p2-16): 等离子体
27 (p2-17): 物质的性质
28 (p2-18): 压力和真空
29 (p2-19): 酸，碱和溶剂
30 (p2-20): 材料安全数据表
30 (p2-21): 关键概念和术语
31 (p2-22): 习题
31 (p2-23): 参考文献
32 (p3): 第3章 晶圆制备
32 (p3-1): 简介
32 (p3-2): 半导体硅制备
33 (p3-3): 晶体材料
35 (p3-4): 晶体生长
38 (p3-5): 晶体和晶圆质量
39 (p3-6): 晶体准备
40 (p3-7): 切片
41 (p3-8): 晶圆刻号
41 (p3-9): 磨片
41 (p3-10): 化学机械抛光（CMP）
42 (p3-11): 背处理
42 (p3-12): 双面抛光
42 (p3-13): 边缘倒角和抛光
42 (p3-14): 晶圆评估
43 (p3-15): 氧化
43 (p3-16): 包装
43 (p3-17): 晶圆外延
43 (p3-18): 关键概念和术语
44 (p3-19): 习题
44 (p3-20): 参考文献
45 (p4): 第4章 芯片制造概述
45 (p4-1): 晶圆生产的目标
45 (p4-2): 晶圆术语
46 (p4-3): 晶圆生产的基础工艺
49 (p4-4): 制造半导体器件和电路
54 (p4-5): 芯片术语
55 (p4-6): 晶圆测试
56 (p4-7): 集成电路的封装
57 (p4-8): 小结
57 (p4-9): 关键概念和术语
57 (p4-10): 习题
57 (p4-11): 参考文献
58 (p5): 第5章 污染控制
58 (p5-1): 简介
58 (p5-2): 问题
61 (p5-3): 污染源
68 (p5-4): 洁净室的建设
77 (p5-5): 洁净室的物质与供给
77 (p5-6): 洁净室的维护
77 (p5-7): 晶片表面清洗
87 (p5-8): 关键概念和术语
88 (p5-9): 习题
88 (p5-10): 参考文献
90 (p6): 第6章 工艺良品率
90 (p6-1): 良品率测量点
91 (p6-2): 累积晶圆生产良品率
92 (p6-3): 晶圆生产良品率的制约因素
95 (p6-4): 晶圆电测良品率要素
101 (p6-5): 封装和最终测试良品率
102 (p6-6): 整体工艺良品率
103 (p6-7): 关键概念和术语
103 (p6-8): 习题
103 (p6-9): 参考文献
104 (p7): 第7章 氧化
104 (p7-1): 二氧化硅层的用途
106 (p7-2): 热氧化机制
111 (p7-3): 热氧化方法
111 (p7-4): 水平炉管反应炉
119 (p7-5): 垂直炉管反应炉
120 (p7-6): 快速升温反应炉
120…